抵抗・コンデンサ
高精度抵抗ネットワーク・単層容量構造。
薄膜ファウンドリ資料
代表的な案件
高精度抵抗ネットワーク・単層容量構造。
フィルタ、カプラ、電力分配器、マイクロストリップ受動回路。
光学・半導体実装基板、特注メタライズ積層。
ファウンドリ設計ルール
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| 項目 | 代表的な対応力 | 標準/最小 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 基板材料 | 99.6%アルミナ、AlN、溶融石英、BeO | フェライト、ガラス、サファイア、ダイヤモンド、SiCも掲載 | 材料供給可否は案件ごとに確認 |
| 基板厚さ | 標準0.127~1.016 mm | 焼成肌±10%、研磨品±10 µm | その他の厚さは要確認 |
| 回路サイズ | 最大100 × 100 mm | パターンから端面まで最小20 µm | レイアウトにより決定 |
| 線幅/間隔 | 標準25 µm | 最小10 µm | 最小公差±3 µm、標準±10 µm |
| 層間位置合わせ | 標準±10 µm | — | 層数とアライメントマークを確認 |
| メタライズビア | 最小アスペクト比0.67:1 | 最小穴径は基板厚さの67% | 標準穴径は基板厚さと同等 |
| 抵抗 | 公称10~200 Ω/□、50または100 Ω/□を推奨 | 最小L/W 0.05 mm、抵抗間隔0.05 mm | 未トリミング公差±10%または±5% |
BeOなどの特殊基板案件は、取扱い、適合性、安全性の個別確認が必要です。正確な製造限界はデータと積層構成の確認後に承認します。
外形加工・メタライズ
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| 工程 | 代表的な限界/選択肢 | 代表材料 | 案件上の注意 |
|---|---|---|---|
| レーザー外形加工 | 最大基板厚さ1.0 mm、形状公差±30 µm | セラミックおよび対象特殊基板 | レーザー加工部からパターンまで最小30 µm |
| ダイシングソー | 最大基板150 × 150 mm、厚さ最大2 mm | 角形最大127 × 127 mm、円形最大Φ150 mm | 標準公差±0.050 mm、最小±0.025 mm |
| 密着層/バリア層 | Ti, TiW, NiCr, Cr / TiW, Pt, Ni | 実装工程に応じて積層を選定 | リフロー・接合限界は積層により異なる |
| 導体/抵抗体 | Cu or Au / NiCr or TaN | 電解Cu、Ni、Auは標準1~6 µm | 事前成膜AuSnは標準3~5 µm |
| データ形式 | DWG, DXF or Gerber | AutoCAD推奨、閉じたポリライン | 1:1形状データと積層注記を提出 |
提供PDFに基づく代表的な加工能力です。現行設備範囲、金属膜厚公差、実装適合性は図面一式で確認します。
製造範囲
DXF、DWG等の製造図面と、基板、積層、線幅/間隔、公差、電気・検査要件をご提出ください。
品質・出荷判定
提供PDFにはISO-9000品質管理仕様およびMIL-STD-883C相当仕様の記載があります。適用性、認証範囲、検査計画、受入基準は実際の供給元・案件ごとに確認します。